高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 李传波; 毛容伟; 左玉华; 成步文; 余金中; 王启明 |
| 发表日期 | 2006-10-11 |
| 专利号 | CN1279611C |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明一种高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法，包括如下工艺步骤：a)在SOI材料上顺序生长有源层和欧姆接触层；b)将生长有有源层的SOI硅片的背面进行减薄抛光；c)双面生长掩膜层，并进行背面光刻腐蚀至埋层二氧化硅层；d)然后在外延层上光刻腐蚀形成有有源层和欧姆接触层的台面，并制作上下电极；以及e)最后生长上下布拉格反射镜，形成共振腔探测器。 |
| 公开日期 | 2006-10-11 |
| 申请日期 | 2004-02-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48207]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李传波,毛容伟,左玉华,等. 高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法. CN1279611C. 2006-10-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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