一种半导体结构及其形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈飞 |
| 发表日期 | 2016-08-03 |
| 专利号 | CN103187498B |
| 著作权人 | 比亚迪股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种半导体结构及其形成方法 |
| 英文摘要 | 本发明提出了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括：衬底；形成在衬底之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一类型氮化物层；形成在第一类型氮化物层之上的量子点结构，其中，量子点结构包括闪锌矿InxGa(1‑x)N量子点，其中，0≤x≤1；以及形成在量子点结构之上的第二类型氮化物层。该半导体结构包括闪锌矿氮化物量子点结构，消除了极化效应，提高了量子效率。 |
| 公开日期 | 2016-08-03 |
| 申请日期 | 2011-12-29 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48208]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 比亚迪股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈飞. 一种半导体结构及其形成方法. CN103187498B. 2016-08-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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