基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器
文献类型：专利
| 作者 | 张冶金; 王海玲; 渠红伟; 马绍栋; 郑婉华 |
| 发表日期 | 2014 |
| 专利号 | CN102856789B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器 |
| 英文摘要 | 一种基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器，包括：一硅衬底；一二氧化硅层制作在硅衬底之上；一硅环状波导层制作在二氧化硅层之上；一键合缓冲层制作在硅波导层上；一N型接触层制作在键合缓冲层之上；一N型电极制作在N型接触层之上的中间；一环状量子阱有源区制作在N型电极的环状部分之内，N型接触层之上；一P型环状接触层制作在环状量子阱有源区之上；一P型环状盖层制作在P型环状接触层之上；一环状P型电极制作在环状P型盖层之上。本发明该结构在高密度集成，单纵模工作，高效耦合输出。更重要的是在工艺加工中省去通常的DFB分布反馈光栅制作及III-V族材料二次外延等工艺步骤，降低复杂性。 |
| 公开日期 | 2014 |
| 申请日期 | 2012-09-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48215]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张冶金,王海玲,渠红伟,等. 基于微结构硅波导选频的混合硅单模环形腔激光器. CN102856789B. 2014-01-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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