具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 佐野雅彦; 野中满宏; 镰田和美; 山本正司 |
| 发表日期 | 2008-07-23 |
| 专利号 | CN100405619C |
| 著作权人 | 日亚化学工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。 |
| 公开日期 | 2008-07-23 |
| 申请日期 | 2003-01-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48216]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日亚化学工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 佐野雅彦,野中满宏,镰田和美,等. 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法. CN100405619C. 2008-07-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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