氮化镓基化合物半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 李成男; 白好善; 孙重坤; 司空坦 |
| 发表日期 | 2009-09-09 |
| 专利号 | CN100539212C |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化镓基化合物半导体器件 |
| 英文摘要 | 提供了一种氮化镓(GaN)基化合物半导体器件，该器件具有改进在衬底上生长的薄膜的表面特性的结构。该GaN基化合物半导体器件包括：AlxInyGa1-x-yN衬底(0≤x≤1，0≤y≤1，且0≤x+y≤1)，衬底表面相对于(0001)平面朝预定方向倾斜大于0°且小于1°的偏角；以及生长在该衬底上的GaN基化合物半导体层。 |
| 公开日期 | 2009-09-09 |
| 申请日期 | 2005-11-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48227]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李成男,白好善,孙重坤,等. 氮化镓基化合物半导体器件. CN100539212C. 2009-09-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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