宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管
文献类型：专利
| 作者 | 江山; 王定理; 张军; 刘应军 |
| 发表日期 | 2009-07-29 |
| 专利号 | CN100521259C |
| 著作权人 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管 |
| 英文摘要 | 本发明为宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管，其有源区由两段或两段以上组成，采用选择区域外延生长方法制作，具有呈梯度分布的带隙结构。沿发光管某一出光方向，离出光端面远的有源区发光波长大于靠近端面的发光波长，沿此方向传输的光能透明地传输，因此发光二极管在这一方向上的发光光谱谱宽为沿此方向的多段有源区光谱谱宽的叠加，从而达到增加发光二极管的光谱带宽的目的；同时沿与此出光端面相反方向传输的光被吸收。 |
| 公开日期 | 2009-07-29 |
| 申请日期 | 2003-05-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48246]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 武汉光迅科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 江山,王定理,张军,等. 宽光谱带宽超辐射发光二极管的制作方法及其二极管. CN100521259C. 2009-07-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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