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一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器

文献类型:专利

作者刘惠春; 沈文忠; 傅爱兵; 郝明瑞; 杨耀
发表日期2014-10-15
专利号CN102957092B
著作权人上海交通大学无锡研究院
国家中国
文献子类授权发明
其他题名一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器
英文摘要本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器,其特征在于:利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构,形成双量子阱三能级的结构,以入射激光进行激发,形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作,工作温度接近300K,无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下,常规的太赫兹激光器(如量子级联激光器)通常工作在低温状态,需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。
公开日期2014-10-15
申请日期2012-10-18
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48248]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位上海交通大学无锡研究院
推荐引用方式
GB/T 7714
刘惠春,沈文忠,傅爱兵,等. 一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器. CN102957092B. 2014-10-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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