一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器
文献类型:专利
作者 | 刘惠春; 沈文忠; 傅爱兵; 郝明瑞; 杨耀 |
发表日期 | 2014-10-15 |
专利号 | CN102957092B |
著作权人 | 上海交通大学无锡研究院 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器 |
英文摘要 | 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器,其特征在于:利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构,形成双量子阱三能级的结构,以入射激光进行激发,形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作,工作温度接近300K,无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下,常规的太赫兹激光器(如量子级联激光器)通常工作在低温状态,需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。 |
公开日期 | 2014-10-15 |
申请日期 | 2012-10-18 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48248] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 上海交通大学无锡研究院 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘惠春,沈文忠,傅爱兵,等. 一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器. CN102957092B. 2014-10-15. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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