一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器
文献类型：专利
| 作者 | 刘惠春; 沈文忠; 傅爱兵; 郝明瑞; 杨耀 |
| 发表日期 | 2014-10-15 |
| 专利号 | CN102957092B |
| 著作权人 | 上海交通大学无锡研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器 |
| 英文摘要 | 本发明公布了一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器，其特征在于：利用半导体外延生长技术在半导体衬底上生长多层的半导体结构，形成双量子阱三能级的结构，以入射激光进行激发，形成可以稳定工作的激光器。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在室温或准室温的条件下工作，工作温度接近300K，无需制冷设备或者仅需要半导体热电制冷器进行制冷。相比之下，常规的太赫兹激光器（如量子级联激光器）通常工作在低温状态，需要安置在杜瓦或循环制冷机中。本发明的量子阱太赫兹激光器能够在30到40微米波段产生太赫兹激光。 |
| 公开日期 | 2014-10-15 |
| 申请日期 | 2012-10-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48248]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海交通大学无锡研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘惠春,沈文忠,傅爱兵,等. 一种GaN基半导体光泵浦太赫兹激光器. CN102957092B. 2014-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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