半導體雷射的結構與製程
文献类型：专利
| 作者 | 邱建嘉; 何晉國; 洪銘煌; 史光國; 林政宏 |
| 发表日期 | 1999-11-01 |
| 专利号 | TW373360B |
| 著作权人 | 財團法人工業技術研究院 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體雷射的結構與製程 |
| 英文摘要 | 一種半導體雷射的結構與製程，其可用於任何邊射型(edge emitting)半導體雷射結構中。其製程包括下列步驟，在一半導體雷射磊晶片上形成脊狀波導，然後進行旋塗法(spin coating)，在脊狀波導上覆蓋絕緣層。接著，進行化學機械研磨法(CMP)，研磨絕緣層，使其具有一平坦的表面，並露出脊狀波導的脊狀頂表面。然後，在絕緣層與露出之脊狀波導上，形成Ｐ型金屬；以及在基底相對於第一型導電層的一面上，形成Ｎ型金屬。 |
| 公开日期 | 1999-11-01 |
| 申请日期 | 1998-03-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48251]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 財團法人工業技術研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 邱建嘉,何晉國,洪銘煌,等. 半導體雷射的結構與製程. TW373360B. 1999-11-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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