在解理面上制作半导体纳米结构的方法
文献类型：专利
| 作者 | 陈涌海; 张春玲; 崔草香; 徐波; 金鹏; 刘峰奇; 王占国 |
| 发表日期 | 2008-03-05 |
| 专利号 | CN100373534C |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 在解理面上制作半导体纳米结构的方法 |
| 英文摘要 | 一种在解理面上制作半导体纳米结构的方法，该方法包括如下制备步骤：步骤1：选择衬底材料，在该衬底上依次外延生长缓冲层、量子阱结构、盖帽层；步骤2：对生长的外延材料进行解理，获得含量子阱截面结构的解理面；步骤3：对含量子阱结构的解理面进行表面处理，以利于有序、定位半导体纳米结构的形成；步骤4：在经过处理的上述解理面上外延生长一层半导体纳米结构；步骤5：在上述半导体纳米结构上再重复生长半导体纳米结构，包括间隔层和盖帽层，所生长的半导体纳米结构作为光电子器件和电子器件的有源层。 |
| 公开日期 | 2008-03-05 |
| 申请日期 | 2004-07-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48261]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈涌海,张春玲,崔草香,等. 在解理面上制作半导体纳米结构的方法. CN100373534C. 2008-03-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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