一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器
文献类型：专利
| 作者 | 张冶金; 郑婉华; 渠红伟; 邢名欣; 陈良惠 |
| 发表日期 | 2012-05-02 |
| 专利号 | CN101976801B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器，该半导体光放大器包括纵向结构和横向结构，其中纵向结构为纵向弱限制结构或空气桥结构，横向结构采用蜂窝晶格结构，并引入线缺陷作为导光区。本发明采用蜂窝晶格引入线缺陷的光子晶体结构能够实现高群折射率，达到50或更高，且是横磁偏振工作模式，与多量子阱有源区结合实现横磁模式的放大，慢光效应增强了光和增益介质作用，大幅度缩短腔长。 |
| 公开日期 | 2012-05-02 |
| 申请日期 | 2010-09-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48263]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张冶金,郑婉华,渠红伟,等. 一种横磁偏振光子晶体慢光效应半导体光放大器. CN101976801B. 2012-05-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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