三族氮化物垂直柱阵列衬底
文献类型：专利
| 作者 | 赖志铭; 刘文岳; 蔡政达; 许荣宗; 果尚志; 沈昌宏; 林弘伟 |
| 发表日期 | 2010-12-08 |
| 专利号 | CN101093867B |
| 著作权人 | 财团法人工业技术研究院 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 三族氮化物垂直柱阵列衬底 |
| 英文摘要 | 一种三族氮化物垂直柱阵列衬底，此三族氮化物垂直柱阵列衬底包括：衬底、缓冲层与垂直柱阵列层。其中，缓冲层位于衬底上方，且垂直柱阵列层位于缓冲层上，而垂直柱阵列层是由多个立于缓冲层上的垂直柱组成。 |
| 公开日期 | 2010-12-08 |
| 申请日期 | 2006-06-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48264]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 财团法人工业技术研究院 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赖志铭,刘文岳,蔡政达,等. 三族氮化物垂直柱阵列衬底. CN101093867B. 2010-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。