利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法
文献类型：专利
| 作者 | 李艳平; 陶利; 高智威; 冉广照 |
| 发表日期 | 2017-01-11 |
| 专利号 | CN103812001B |
| 著作权人 | 北京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法。本方法为：1）利用二次曝光技术在SOI片的硅层上制备出所需光栅；2）在SOI片的硅层上垂直于光栅的方向制备出多个宽度不同的硅波导，得到一硅波导阵列；3）在SOI片上，每一硅波导及其两侧设定区域外沉积金属层作为键合区；4）制备多量子阱光增益结构阵列；5）以多量子阱光增益结构阵列中最接近光增益区的面为键合面，将多量子阱光增益结构阵列中的光增益区与硅波导阵列中对应硅波导的光耦合区对准、键合，得到多波长硅基混合激光器阵列。本发明具有工艺简单、成熟，低成本，高可靠性的优点。 |
| 公开日期 | 2017-01-11 |
| 申请日期 | 2014-01-09 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48265]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 北京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李艳平,陶利,高智威,等. 利用二次曝光技术制备多波长硅基混合激光器阵列的方法. CN103812001B. 2017-01-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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