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半導體發光元件,及半導體發光裝置

文献类型:专利

作者古川千里; 中村隆文
发表日期2012-01-11
专利号TWI356553B
著作权人東芝股份有限公司
国家中国台湾
文献子类授权发明
其他题名半導體發光元件,及半導體發光裝置
英文摘要本發明係一種半導體發光元件,及半導體發光裝置,其中,具備基板,第1帶狀結構;第1帶狀結構係於前述基板上,具有n型第1包覆層,第1活性層,及p型第1包覆層,第2帶狀結構;第2帶狀結構係形成於前述基板上,具有與前述n型第1包覆層,前述第1活性層,及前述p型第1包覆層實質上各自同一之n型第2包覆層,第2活性層,及p型第2包覆層,與前述第1帶狀結構係方向不同。
公开日期2012-01-11
申请日期2008-02-04
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48274]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位東芝股份有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
古川千里,中村隆文. 半導體發光元件,及半導體發光裝置. TWI356553B. 2012-01-11.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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