半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 多田健太郎 |
| 发表日期 | 2013-07-17 |
| 专利号 | CN101604817B |
| 著作权人 | 瑞萨电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法。在包含镓(Ga)的n型半导体层中，接触电阻被抑制在低水平。n侧电极提供在包含Ga的n型半导体层的表面上。电极包括具有等于或大于1原子％且等于或小于25原子％的Ga含量的金属层。金属层被设置成与n型半导体层接触。 |
| 公开日期 | 2013-07-17 |
| 申请日期 | 2009-06-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48290]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 瑞萨电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 多田健太郎. 半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法. CN101604817B. 2013-07-17. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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