具有解理表面的半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 森田悦男; 河合弘治 |
| 发表日期 | 2003-04-02 |
| 专利号 | CN1104766C |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有解理表面的半导体器件 |
| 英文摘要 | 制备一种光发射器件，在具有{11-20}面(面a)作主表面的衬底1上，形成具有含至少第一包层6、光发射层7、和第二包层8的叠层结构的半导体层2；在加热条件下，在{1-102}面(面r)解理，使半导体层2和衬底1一起断裂，以在上述衬底上形成一对端面，同时，在半导体层2上形成沿衬底1的上述一对端面延伸的端面3。 |
| 公开日期 | 2003-04-02 |
| 申请日期 | 1996-12-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48291]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森田悦男,河合弘治. 具有解理表面的半导体器件. CN1104766C. 2003-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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