一种发光二极管及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 张楠; 郝茂盛 |
| 发表日期 | 2016-12-21 |
| 专利号 | CN103715319B |
| 著作权人 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种发光二极管及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种发光二极管及其制作方法。该方法先在衬底一表面制备选择性生长层；然后在所述衬底表面的非选择性生长层区选择性外延生长发光结构层，所述发光结构层呈倒梯形结构且至少包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层；接着采用光刻技术、ICP技术或RIE技术刻蚀至N电极区域；制作透明导电层；制作P电极与N电极；在所述透明导电层上制备第一反射镜层，在衬底另一表面制备第二反射镜层；最后裂片完成独立发光二极管的制作。本发明采用外延选择性生长技术制作的发光二极管，能降低芯片对光线的全反射吸收，有利于光线从发光二极管内部射出，提高光在芯片侧壁的出光效率，同时利用双向反射镜提高了荧光粉的激发效率，进而提高芯片亮度。 |
| 公开日期 | 2016-12-21 |
| 申请日期 | 2012-09-28 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48294]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 上海蓝光科技有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张楠,郝茂盛. 一种发光二极管及其制作方法. CN103715319B. 2016-12-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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