斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法
文献类型：专利
| 作者 | 陆全勇; 张伟 ; 王利军; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王占国
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| 发表日期 | 2012-03-28 |
| 专利号 | CN102025110B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 |
| 英文摘要 | 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法，其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器，包括：一InP衬底；一InP波导限制层制作在InP衬底上；一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上；一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上；一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上；一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中；一InP盖层制作在InGaAs上波导层上；一接触层制作在盖层上，形成二次外延片；在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道，形成斜形脊状波导，该V形双沟道的深度到达限制层内；一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面，接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口；一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面；一金属金层制作在正面电极上，且填满两个V形双沟道；一合金电极制作在InP衬底的背面。 |
| 公开日期 | 2012-03-28 |
| 申请日期 | 2009-09-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48296]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆全勇,张伟,王利军,等. 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法. CN102025110B. 2012-03-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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