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薄膜光伏电池的制备方法

文献类型:专利

作者王伟明; 胡双元; 孙飞; 程雪梅
发表日期2016-03-16
专利号CN102956552B
著作权人江苏宜兴德融科技有限公司
国家中国
文献子类授权发明
其他题名薄膜光伏电池的制备方法
英文摘要一种半导体器件的制备方法,包括以下步骤:a)提供第一半导体衬底;b)在第一半导体衬底上形成牺牲层;c)在牺牲层上制备半导体器件的功能层;d)将半导体器件的功能层分离成具有预定阵列图案的半导体器件的功能单元;e)采用腐蚀溶液腐蚀牺牲层,实现第一衬底与功能层的剥离。根据本发明,在腐蚀牺牲层之前,先将半导体器件的功能层分离成半导体器件的功能单元的阵列,使得在腐蚀过程中,腐蚀溶液腐蚀牺牲层的腐蚀路径缩短,极大地提高了衬底的剥离速度和剥离均匀性,进而能够提高半导体器件的剥离成品率和生产效率,降低生产成本。
公开日期2016-03-16
申请日期2012-08-21
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48298]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位江苏宜兴德融科技有限公司
推荐引用方式
GB/T 7714
王伟明,胡双元,孙飞,等. 薄膜光伏电池的制备方法. CN102956552B. 2016-03-16.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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