半导体发光二极管及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵济熙; 金显秀 |
| 发表日期 | 2008-07-16 |
| 专利号 | CN100403557C |
| 著作权人 | 三星电子株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光二极管及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开一种半导体发光二极管及其制造方法。该半导体发光二极管包括：衬底，其上顺序堆叠有n型半导体层、有源层和p型半导体层；以及，p型电极，其包括形成在p型半导体层上的第一金属层、以及形成在第一金属层上并反射自有源层产生的光的第二金属层。 |
| 公开日期 | 2008-07-16 |
| 申请日期 | 2003-12-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48302]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电子株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵济熙,金显秀. 半导体发光二极管及其制造方法. CN100403557C. 2008-07-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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