半导体器件支撑结构的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | G・卡里; I・詹克斯; A・路易斯; R・卢延; H・周; J・R・蒂特斯; G・W・约菲; M・A・伊曼纽尔; A・摩尔拉蒂安 |
| 发表日期 | 2010-09-08 |
| 专利号 | CN1748291B |
| 著作权人 | 诺瓦勒克斯公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体器件支撑结构的制造方法 |
| 英文摘要 | 描述了制造半导体器件的方法。在此方法中，选择有足够厚度的起始衬底，它具有所需的缺陷密度级，并会导致不理想的掺杂级。随后在起始衬底上形成具有所需掺杂级的半导体层。得到的半导体层具有最终产品应用所需的缺陷密度和掺杂级。将有源元件、电导体和任何其它所需结构形成在所述半导体层上之后，去除起始衬底，留下所需厚度的半导体层。在VECSEL应用中，有源元件可以是增益腔，其中半导体层具有必需的缺陷密度和掺杂级以便使插头效率(WPE)达到最大值。在一个实施例中，半导体层的掺杂是不均匀的。例如，大部分半导体层的掺杂为低掺杂级，而其余部分的掺杂为高得多的掺杂级。这导致在较重掺杂材料的特定厚度下提高WPE。 |
| 公开日期 | 2010-09-08 |
| 申请日期 | 2003-12-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48305]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 诺瓦勒克斯公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | G・卡里,I・詹克斯,A・路易斯,等. 半导体器件支撑结构的制造方法. CN1748291B. 2010-09-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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