光半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 秋山知之 |
| 发表日期 | 2016-11-09 |
| 专利号 | CN104170189B |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半导体器件 |
| 英文摘要 | 本发明的光半导体器件，具有半导体衬底上的激光振荡器和所述半导体衬底上的光调制器；所述激光振荡器的一对反射镜中的至少一个反射镜为环形镜，所述环形镜具有环形波导路径和在所述环形波导路径上串联插入的多个第一环谐振器；所述光调制器具有沿着调制器波导路径级联连接的多个第二环谐振器；所述第一环谐振器的通频带宽度设定为比所述第二环谐振器的通频带宽度更宽。 |
| 公开日期 | 2016-11-09 |
| 申请日期 | 2012-03-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48308]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 秋山知之. 光半导体器件. CN104170189B. 2016-11-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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