半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法
文献类型：专利
| 作者 | 卡尔·恩格尔; 卢茨·赫佩尔; 克里斯托夫·艾克勒; 马蒂亚斯·扎巴蒂尔; 安德烈亚斯·魏玛 |
| 发表日期 | 2015-04-22 |
| 专利号 | CN102779917B |
| 著作权人 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种半导体芯片（1），其具有半导体本体（2），该半导体本体包括带有设计用于产生辐射的有源区（25）的半导体层序列。在半导体本体（2）上设置有反射结构（3），反射结构具有反射层（4）以及至少局部地设置在反射层和半导体本体之间的介电层结构（5）。介电层结构（5）具有多个介电层（51，52），借助介电层形成介电反射结构。介电层结构（5）具有凹处（55）。在半导体本体（2）上设置有接触结构（6），该接触结构设置在介电层结构（5）的至少一个凹处（55）中。此外，提出了一种用于制造半导体芯片的方法。 |
| 公开日期 | 2015-04-22 |
| 申请日期 | 2008-04-24 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48309]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 卡尔·恩格尔,卢茨·赫佩尔,克里斯托夫·艾克勒,等. 半导体芯片和用于制造半导体芯片的方法. CN102779917B. 2015-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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