在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法
文献类型：专利
| 作者 | 谢自力; 张荣; 韩平; 刘成祥; 周圣明; 修向前; 刘斌; 李亮; 郑有炓; 顾书林 |
| 发表日期 | 2008-09-10 |
| 专利号 | CN100418240C |
| 著作权人 | 南京大学 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法 |
| 英文摘要 | 在β-Ga2O3衬底材料上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法，在MOCVD系统中对生长的β-Ga2O3衬底在500-1050℃温度下进行材料热处理，在500-1050℃温度范围通入载气N3，氨气以及金属有机源，通过控制载气，源气体流量以及生长温度等参数，在β-Ga2O3衬底上合成生长低温GaN缓冲层材料；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长GaN缓冲层材料后在500-1050℃温度下掺入Si生长N型GaN；用MOCVD方法在β-Ga2O3衬底上生长N型GaN层，接着生长5-10个周期的GaN/InGaN多量子阱结构。并生长一层P型GaN层，构成LED器件结构。并对该结构在600-800℃温度和0.1-1小时退火时间进行退火激活。 |
| 公开日期 | 2008-09-10 |
| 申请日期 | 2005-10-18 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48311]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 南京大学 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢自力,张荣,韩平,等. 在β三氧化二镓衬底上生长InGaN/GaN量子阱LED器件结构的方法. CN100418240C. 2008-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。