半导体发光器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 赤池康彦; 古川和由 |
| 发表日期 | 2005-04-27 |
| 专利号 | CN1199291C |
| 著作权人 | 株式会社东芝 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光器件及其制造方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体发光器件，具备：由用n型和p型的包覆层(12、14)把有源层(13)夹在中间的III-V族化合物半导体构成的双异质结构造部分；直接键合到p型包覆层(14)上的p型GaP衬底(20)；在上述p型包覆层(14)与p型GaP衬底(20)之间形成的由InGaAlP构成的Zn扩散防止层(15)，Zn扩散防止层(15)同时掺入p型掺杂剂的Zn和n型掺杂剂的Si，在设Zn、Si的杂质浓度分别为Na、Nd时，满足Na＞Nd，且Nd＞2×1017cm-3。能防止p掺杂剂向有源层扩散，抑制非发光中心的形成，实现高辉度化和稳定化。 |
| 公开日期 | 2005-04-27 |
| 申请日期 | 2001-09-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48312]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社东芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赤池康彦,古川和由. 半导体发光器件及其制造方法. CN1199291C. 2005-04-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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