半导体光学元件
文献类型：专利
| 作者 | 渡边泽木; 芝和宏; 中田武志 |
| 发表日期 | 2012-11-28 |
| 专利号 | CN101341600B |
| 著作权人 | 日本电气株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体光学元件 |
| 英文摘要 | 一种光接收元件(1)，包括：半导体衬底(101)；第一台面(11)，具有形成在所述半导体衬底(101)之上的有源区和形成在所述有源区之上的第一电极(p侧电极(111))；第二台面(12)，设置在所述半导体衬底(101)之上，具有半导体层和形成在所述半导体层之上的第二电极(n侧电极(121))；以及第三台面(13)，形成在所述半导体衬底(101)之上，具有半导体层。所述第三台面(13)布置为包围所述第一台面(11)。 |
| 公开日期 | 2012-11-28 |
| 申请日期 | 2006-12-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48313]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电气株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡边泽木,芝和宏,中田武志. 半导体光学元件. CN101341600B. 2012-11-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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