第III族氮化物半導體發光元件及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡邊溫; 高橋宏和; 木村義則; 宮地護 |
| 发表日期 | 2005-09-21 |
| 专利号 | TWI240429B |
| 著作权人 | 先鋒股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 第III族氮化物半導體發光元件及其製造方法 |
| 英文摘要 | 一種包括在該n-型接觸層和該n-型包覆層之間提供n-型氮化鎵阻止裂縫層的第III族氮化物半導體發光元件，其中該阻止裂縫層具有比該n-型接觸層的滲雜劑濃度更低之滲雜劑濃度。 |
| 公开日期 | 2005-09-21 |
| 申请日期 | 2003-10-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48314]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 先鋒股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡邊溫,高橋宏和,木村義則,等. 第III族氮化物半導體發光元件及其製造方法. TWI240429B. 2005-09-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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