具有InP衬底的光半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 岸野克巳; 野村一郎; 玉村好司; 中村均 |
| 发表日期 | 2009-07-15 |
| 专利号 | CN100514774C |
| 著作权人 | 株式会社日立制作所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有InP衬底的光半导体装置 |
| 英文摘要 | 本发明针对通常情况下成为p型传导但载流子浓度仅得到小于1×1017cm-3的值这样的材料，提供得到大于等于1×1017cm-3的高p型载流子浓度的结构，进而，提供发光特性等特性良好、可靠性也高、长寿命的半导体光学元件和装置。作为解决方法，在InP衬底上作为在与InP衬底晶格匹配的主层Mg0.5Zn0.29Cd0.21Se层(10ML(原子层)厚度)之间插入ZnSe0.53Te0.47层(2ML)作为插入的特定层，通过以适度间隔插入单层的、大于等于1018cm-3的充分的载流子浓度这样的特定层，在以往仅得到小于1×1017cm-3这样的材料中全体结晶得到大于等于1×1017cm-3的充分的空穴浓度。 |
| 公开日期 | 2009-07-15 |
| 申请日期 | 2006-07-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48318]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立制作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 岸野克巳,野村一郎,玉村好司,等. 具有InP衬底的光半导体装置. CN100514774C. 2009-07-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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