一种生长可控量子点和量子环的方法
文献类型：专利
| 作者 | 赵暕; 陈涌海; 王占国; 徐波 |
| 发表日期 | 2011-02-02 |
| 专利号 | CN101567521B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种生长可控量子点和量子环的方法 |
| 英文摘要 | 本发明公开了一种生长可控量子点和量子环的方法，该方法包括：制备μm量级的包含有条形区域、方孔区域和圆孔区域的光刻板；对该光刻板图形衬底进行普通光刻；湿法腐蚀制备图形衬底；采用一定的生长条件和沉积量的分子束外延MBE生长方法，在同一衬底片上生长出量子点密度从高到低、量子环密度从低到高变化且位置可控的量子点和量子环结构。利用本发明，通过引入图形衬底的衬底处理方式，在同一生长条件下、同一衬底上不同的区域制备出不同形貌的图形衬底，使得在平面上形成的量子点或者量子环的形貌和分布发生变化，实现了对量子点和量子环密度和分布位置的调制。 |
| 公开日期 | 2011-02-02 |
| 申请日期 | 2008-04-23 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48323]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赵暕,陈涌海,王占国,等. 一种生长可控量子点和量子环的方法. CN101567521B. 2011-02-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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