半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 常慧增; 张世祖 |
| 发表日期 | 2011-07-20 |
| 专利号 | CN101667713B |
| 著作权人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法 |
| 英文摘要 | 一种半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法，主要采用了金刚石刀具在氮化铝陶瓷片加工V型凹槽至规定深度，再将预留底面减薄的方法制作出符合要求的倾斜端面。该方法简单易实施，成本低、加工效率高、一致性好，用该种技术制作的氮化铝陶瓷片进行倾斜端面与平面实现电极互联后最薄可制作出厚度小于100μm的微型载体，可应用于器件或组件的高密度封装，并进而采用可插拔接口实现电驱动或信息传输。 |
| 公开日期 | 2011-07-20 |
| 申请日期 | 2009-09-23 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48336]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 常慧增,张世祖. 半导体激光器用新型氮化铝陶瓷载体倾斜端面制作方法. CN101667713B. 2011-07-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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