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一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构

文献类型:专利

作者尤明慧; 于新雨; 李占国; 刘景圣; 李士军; 欧仁侠; 高欣; 樊娟娟; 孙启响; 于秀玲
发表日期2017-01-18
专利号CN104037618B
著作权人吉林农业大学
国家中国
文献子类授权发明
其他题名一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构
英文摘要本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构,即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构,来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度,增加对载流子的俘获能力,对量子点分布的均匀性也有所改善,增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点,能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动,波长可以覆盖5μm,从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性,易于与现有光电子器件集成等特点,GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景,对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。
公开日期2017-01-18
申请日期2014-04-22
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48358]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位吉林农业大学
推荐引用方式
GB/T 7714
尤明慧,于新雨,李占国,等. 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构. CN104037618B. 2017-01-18.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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