一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构
文献类型:专利
作者 | 尤明慧; 于新雨; 李占国; 刘景圣; 李士军; 欧仁侠; 高欣; 樊娟娟; 孙启响; 于秀玲 |
发表日期 | 2017-01-18 |
专利号 | CN104037618B |
著作权人 | 吉林农业大学 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构 |
英文摘要 | 本发明专利是一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构,即采用生长的多层InGaSb量子点与能带非对称量子阱耦合结构,来提高激光器材料、器件的性能。这种创意会在很大程度上增大量子点的体密度,增加对载流子的俘获能力,对量子点分布的均匀性也有所改善,增加量子点的尺寸和引入Sb基量子点,能够使发光谱峰向通讯波段的长波长移动,波长可以覆盖5μm,从而达到拓展波长、提高激光器特征温度和降低阈值电流等目的。这一结构再加之GaAs基工艺的成熟性,易于与现有光电子器件集成等特点,GaAs基长波长含Sb量子点激光器将具有十分广阔的应用前景,对实现性能优异的中红外半导体激光器将具有重要意义。 |
公开日期 | 2017-01-18 |
申请日期 | 2014-04-22 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48358] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 吉林农业大学 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尤明慧,于新雨,李占国,等. 一种GaAs基近红外波段含Sb多层量子点与非对称量子阱耦合激光器结构. CN104037618B. 2017-01-18. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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