一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 渠红伟; 郑婉华; 刘安金; 王科 ; 张冶金; 彭红玲; 陈良惠
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| 发表日期 | 2011-10-26 |
| 专利号 | CN101667716B |
| 著作权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明是一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其制作方法。所述激光器包括N电极(1)，N型GaAs衬底(2)，N型GaAs/AlGaAs材料系的下分布布拉格反射镜(DBR)(3)，InP基应变量子阱有源区(4)，GaAs/AlGaAs材料系的上DBR(5)，其中上DBR(5)，由P型DBR(6)和本征DBR(7)组成，SiO2掩膜(8)，P电极(9)，出光窗口(10)。所述结构和所述方法改进了传统长波长VCSEL的DBR材料折射率差较小，热导、电导差的缺点，不仅可实现很好的电流限制，而且降低材料的吸收损耗、生长的难度和免去二次外延工艺步骤。 |
| 公开日期 | 2011-10-26 |
| 申请日期 | 2008-09-03 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48383]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渠红伟,郑婉华,刘安金,等. 一种双面键合长波长垂直腔面发射激光器及其制作方法. CN101667716B. 2011-10-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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