半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 三代川纯 |
| 发表日期 | 2013-12-25 |
| 专利号 | CN102272648B |
| 著作权人 | 古河电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法 |
| 英文摘要 | 在基座(8)上固定有发光元件安装台(4)。而且在发光元件安装台(4)上固定有半导体激光元件(1)。在基座(8)上固定有固定构件(5)。固定构件(5)是大致矩形的板状构件。在固定构件(5)上固定有光纤(2)。光纤(2)利用固定材料(6)固定在固定构件(5)上。此时，光纤(2)被调心，与半导体激光元件(1)进行光耦合。在基座(8)的与固定材料(6)对应的部位(固定材料(6)的下方)形成有缺口部(9)。即，固定构件(5)以跨过缺口部(9)的方式固定在基座(8)上。由于在固定构件(5)的下方形成缺口部(9)，因此能够使用局部加热器(10)等从固定构件(5)的下表面加热固定构件(5)。因此，能够高效率地加热固定构件(5)上的固定材料(6)。 |
| 公开日期 | 2013-12-25 |
| 申请日期 | 2010-03-10 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48479]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 三代川纯. 半导体激光模块及半导体激光模块的制造方法. CN102272648B. 2013-12-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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