一种高功率半导体激光器的封装结构
文献类型：专利
| 作者 | 刘兴胜 ; 封飞飞; 高立军; 梁雪杰; 舒东平
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| 发表日期 | 2017-09-15 |
| 专利号 | CN206498084U |
| 著作权人 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种高功率半导体激光器的封装结构 |
| 英文摘要 | 本实用新型提供一种高功率半导体激光器的封装结构，包括：制冷器、以及半导体激光器单元；其中，所述半导体激光器单元由激光芯片、以及与所述激光芯片键合的起导电散热作用的衬底组成；所述衬底为具有多个热膨胀系数的一体式多层复合衬底，通过焊料键合到所述制冷器上，所述衬底各层的热膨胀系数自激光芯片端到制冷器端呈增大趋势。基于本实用新型提供的高功率半导体激光器的封装结构，能够有效地平衡激光芯片P面受到的热应力，大大降低激光器的近场非线性效应。 |
| 公开日期 | 2017-09-15 |
| 申请日期 | 2017-02-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48518]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 西安炬光科技股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘兴胜,封飞飞,高立军,等. 一种高功率半导体激光器的封装结构. CN206498084U. 2017-09-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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