用于制造半导体激光器元件的方法和半导体激光器元件
文献类型：专利
| 作者 | R.恩茨曼; M.霍恩; M.格劳尔; T.法伊特; J.达赫斯; S.利斯特尔; M.阿茨贝格尔 |
| 发表日期 | 2017-07-21 |
| 专利号 | CN104871378B |
| 著作权人 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 用于制造半导体激光器元件的方法和半导体激光器元件 |
| 英文摘要 | 在至少一个实施方式中设立用于制造半导体激光器元件（1）的方法并且该方法包括如下步骤：A）提供具有用于半导体激光器元件（1）的多个载体（2）的载体复合件（20），B）提供具有多个半导体激光二极管（3）的激光器条（30），所述半导体激光二极管包括共同的生长衬底（31）和在其上生长的半导体层序列（32），C）在生长衬底（31）的背离半导体层序列（32）的衬底下侧（34）上产生预定断裂部位（35），D）将激光器条（30）安置在载体复合件（20）的载体上侧（23）上，其中在提高的温度下进行该安置并且随后冷却，和E）分割成半导体激光器元件（1），其中步骤B）至E）以所说明的顺序执行。 |
| 公开日期 | 2017-07-21 |
| 申请日期 | 2013-12-17 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48520]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | R.恩茨曼,M.霍恩,M.格劳尔,等. 用于制造半导体激光器元件的方法和半导体激光器元件. CN104871378B. 2017-07-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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