锁模半导体激光器件及其驱动方法
文献类型：专利
| 作者 | 大木智之; 仓本大; 池田昌夫; 宫岛孝夫; 渡边秀辉; 横山弘之 |
| 发表日期 | 2014-01-22 |
| 专利号 | CN102195232B |
| 著作权人 | 索尼公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 锁模半导体激光器件及其驱动方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种锁模半导体激光器件及其驱动方法，所述锁模半导体激光器件包括：层压结构，其中，逐次地层压第一化合物半导体层、具有发光区域的第三化合物半导体层和第二化合物半导体层，以及第二电极和第一电极；其中，层压结构形成在具有极性的化合物半导体基板上，第三化合物半导体层包括具有势阱层和势垒层的量子阱结构，势阱层具有1nm以上且10nm以下的深度，势垒层具有2×1018cm-3以上且1×1020cm-3以下的掺杂浓度，以及使电流从第二电极经由层压结构流至第一电极，而在发光区域中生成光脉冲。 |
| 公开日期 | 2014-01-22 |
| 申请日期 | 2011-02-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48612]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大木智之,仓本大,池田昌夫,等. 锁模半导体激光器件及其驱动方法. CN102195232B. 2014-01-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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