光路延时削波法控制的3μm波段纳秒级掺钕晶体激光器
文献类型:专利
作者 | 林文雄; 林授群; 黄见洪 |
发表日期 | 2006-06-14 |
专利号 | CN1259759C |
著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 授权发明 |
其他题名 | 光路延时削波法控制的3μm波段纳秒级掺钕晶体激光器 |
英文摘要 | 一种以掺Nd3+的激光晶体为激光激活介质,在氙灯为泵浦源或以半导体激光器为泵浦源下,在脉冲工作方式下,该器件输出3μm波段小于几纳秒的激光脉冲。本发明在振荡级谐振腔中的反射镜、输出镜面镀上对0μm波段抑制、而3μm波段易于运转的介质膜,同时在谐振腔内插入3μm波段的电光调制器、偏振片。取出振荡级的部分激光,通过光电探测器收取调Q激光脉冲的上升沿触发信号;同时在振荡级输出激光的光路上设置几组一定距离放置的反射镜产生十几纳秒的光延时,并在这之后的光路上设置由起偏器、电光调制器组成的削波组件,由前述的触发信号控制电光调制器的开关。这种方法使得3μm波段激光脉冲稳定性大大提高,使其在稳定性要求较高的应用领域有较大的前景。 |
公开日期 | 2006-06-14 |
申请日期 | 2001-11-23 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48640] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 林文雄,林授群,黄见洪. 光路延时削波法控制的3μm波段纳秒级掺钕晶体激光器. CN1259759C. 2006-06-14. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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