Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
文献类型：专利
| 作者 | WANG, TZU-YU; KIM, JIN K.; KWON, HOKI; PARK, GYOUNGWON; RYOU, JAE-HYUN |
| 发表日期 | 2007-10-23 |
| 专利号 | US7286584 |
| 著作权人 | FINISAR CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal |
| 英文摘要 | A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR) arranged over a substrate; a metal layer interposed between the bottom DBR and the substrate, wherein the metal layer and bottom DBR form a composite mirror structure. A patterned dielectric layer may be interposed between the metal layer and the bottom DBR to reduce a deleterious chemical reaction between the metal layer and the bottom DBR. The metal layer directly contacts a portion of the bottom DBR to enhance the electrical and thermal conductivity of the VCSEL structure. |
| 公开日期 | 2007-10-23 |
| 申请日期 | 2004-12-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48705]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FINISAR CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | WANG, TZU-YU,KIM, JIN K.,KWON, HOKI,et al. Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal. US7286584. 2007-10-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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