多波束半导体激光装置
文献类型：专利
| 作者 | 仙庭靖久; 神津孝一; 臼田周一; 反町进; 原英树 |
| 发表日期 | 2017-06-13 |
| 专利号 | CN103545708B |
| 著作权人 | 优志旺光半导体有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多波束半导体激光装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供多波束半导体激光装置，其抑制多波束半导体激光装置的波束间的焊料彼此的短路不良。激光芯片（11）的表面电极（15）与基座（10）的基座电极（27）通过熔融接合焊料（18）与第二Au镀层（17）而电连接。第二Au镀层（17）在形成在隆起部（20）的两侧的p式第二包覆层（25）上的一对凹槽（21）的一方的上部与焊料（18）接触，并且，第二Au镀层（17）的宽度比焊料（18）的宽度窄，因此隆起部（20）与焊料（18）为在平面上不重合，在隆起部（20）与基座（10）之间具有间隙的结构。 |
| 公开日期 | 2017-06-13 |
| 申请日期 | 2013-05-31 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48706]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 优志旺光半导体有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 仙庭靖久,神津孝一,臼田周一,等. 多波束半导体激光装置. CN103545708B. 2017-06-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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