半导体激光装置和光拾取装置
文献类型：专利
| 作者 | 东浦一雄; 林善雄; 武田正 |
| 发表日期 | 2004-06-23 |
| 专利号 | CN1154989C |
| 著作权人 | 日本电产三协株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光装置和光拾取装置 |
| 英文摘要 | 本发明揭示一种半导体激光装置和光拾取装置，包括在半导体激光装置(1)中，使得棱镜(5)将倾斜面(50)朝向辅助安装架(3)上的半导体激光器(4)的射出面，在倾斜面(50)上形成用于反射来自半导体激光器(4)的激光(L1)的一部分的进行了表面处理的反射区域(51)、和穿透折射残余的光并引导到在半导体基片(2)的表面部分(2b)上用棱镜覆盖的监控用光检测器(6)的感光面(6a)上的穿透折射区域(52)，基于在感光面(6a)的感光结果、反馈控制半导体激光器的发光量。 |
| 公开日期 | 2004-06-23 |
| 申请日期 | 1998-05-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48764]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本电产三协株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 东浦一雄,林善雄,武田正. 半导体激光装置和光拾取装置. CN1154989C. 2004-06-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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