多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置
文献类型：专利
| 作者 | 东条刚; 矢吹义文; 安斋信一; 日野智公; 后藤修; 藤本强; 松本治; 竹谷元伸; 大藤良夫 |
| 发表日期 | 2008-03-19 |
| 专利号 | CN100376064C |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置 |
| 英文摘要 | 一种多光束型半导体激光器，其中在蓝宝石衬底或者类似衬底的一主表面上形成有具有激光器结构的氮化物系III-V族化合物半导体层，并且在所述氮化物系III-V族化合物半导体层上形成有多个阳极和阴极。一阳极被制成横跨一阴极，同时在它们之间存在一绝缘薄膜。另外一阳极被制成横跨另外一阴极，同时在它们之间也存在一绝缘薄膜。 |
| 公开日期 | 2008-03-19 |
| 申请日期 | 2003-06-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48792]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 东条刚,矢吹义文,安斋信一,等. 多光束型半导体激光器、半导体发光器件以及半导体装置. CN100376064C. 2008-03-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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