低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片
文献类型：专利
| 作者 | 张帆; 韩效亚; 杜石磊; 林晓珊; 叶培飞; 占荣; 耿松涛; 张双翔 |
| 发表日期 | 2013-03-20 |
| 专利号 | CN202817486U |
| 著作权人 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片 |
| 英文摘要 | 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片，涉及半导体激光器领域，本实用新型通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。 |
| 公开日期 | 2013-03-20 |
| 申请日期 | 2012-07-27 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48887]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 扬州乾照光电有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张帆,韩效亚,杜石磊,等. 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片. CN202817486U. 2013-03-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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