用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源
文献类型：专利
| 作者 | 杨燕; 俞敦和; 吴姚芳; 侯霞 |
| 发表日期 | 2011-11-16 |
| 专利号 | CN101895058B |
| 著作权人 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源 |
| 英文摘要 | 一种用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源，包括半导体激光器驱动电路和高精度温控电路，所述的半导体激光器驱动电路采用高速MOSFET作开关。本发明能根据半导体激光器的参数，通过改变本发明驱动电源电路中的电源电压、电阻和电容，使被驱动的半导体激光器输出所需要的频率高、前沿快、脉宽窄、脉冲峰值可控、波形平滑的激光脉冲。 |
| 公开日期 | 2011-11-16 |
| 申请日期 | 2010-07-07 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48934]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨燕,俞敦和,吴姚芳,等. 用于半导体激光器的高速窄脉冲调制驱动电源. CN101895058B. 2011-11-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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