GaN基半导体器件
文献类型：专利
| 作者 | 后藤修; 松本治; 佐佐木智美; 池田昌夫 |
| 发表日期 | 2008-12-03 |
| 专利号 | CN100440656C |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | GaN基半导体器件 |
| 英文摘要 | 一种GaN半导体发光器件，形成在GaN单晶衬底上且具有使电流泄漏更小的结构。该GaN半导体激光器件(50)包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并具有与蓝宝石衬底上制造的传统GaN半导体激光器件相同的结构，除了用GaN单晶衬底(52)取代蓝宝石衬底且GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底(52)上而未形成GaN-ELO结构层之外。GaN单晶衬底(52)具有每个均具有10μm的宽度的连续带状核部分(52a)，核部分(52)之间的距离约400μm。激光带(30)、p侧电极(36)的金属焊垫(37)、以及n侧电极(38)设置在除核部分(52a)之外的区域上的多层结构上。金属焊垫(37)的侧边缘与核部分的边缘之间的水平距离Sp和n侧电极(38)与核部分(52a)的边缘之间的水平距离Sn都为95μm。 |
| 公开日期 | 2008-12-03 |
| 申请日期 | 2003-06-19 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48937]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 后藤修,松本治,佐佐木智美,等. GaN基半导体器件. CN100440656C. 2008-12-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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