具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 朴容助; 河镜虎; 田宪秀; 朴时贤 |
| 发表日期 | 2006-03-15 |
| 专利号 | CN1245789C |
| 著作权人 | 三星电机株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法 |
| 英文摘要 | 提供了GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法。GaN系列表面发射激光二极管包含：有源层；有源层的相对侧面上的p型和n型材料层；形成在n型材料层上的第一分布布喇枚反射器(DBR)；通过n型材料层与有源层连接的n型电极，以便为了发射激光给有源层施加电压；形成在p型材料层上的隔离层，在与第一DBR层对准的部分中具有激光输出窗口，隔离层足够厚，以便使空穴能有效地迁移到有源层的中心部分；形成在激光输出窗口上的第二DBR层；和通过p型材料层与有源层连接的p型电极，以便为了发射激光给有源层施加电压。成型激光输出窗口使得可以补偿由隔离层的形成而导致的激光束的衍射。 |
| 公开日期 | 2006-03-15 |
| 申请日期 | 2002-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48949]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三星电机株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朴容助,河镜虎,田宪秀,等. 具有隔离层的GaN系列表面发射激光二极管及其制造方法. CN1245789C. 2006-03-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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