垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 洪瑞華; 武東星 |
| 发表日期 | 2004-10-21 |
| 专利号 | TWI222775B |
| 著作权人 | 國立中興大學 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明在提供一種垂直共振腔面射型雷射二極體，以及一種以低溫貼合技術製作該垂直共振腔面射型雷射二極體的製造方法。該垂直共振腔面射型雷射二極體包含一基板、一形成該基板上的第一布拉格反射鏡、一形成於該第一布拉格反射鏡上且與該第一布拉格反射鏡晶格不相匹配的作動區，及一形成該作動區上且與該作動區晶格不相匹配的第二布拉格反射鏡，該第一、二布拉格反射鏡構成一可供光子來回震盪的共振腔，當施加一電能於該作動區時，該作動區可產生複數光子，在該共振腔中反覆震盪形成建設性的干涉向外輸出一雷射。 |
| 公开日期 | 2004-10-21 |
| 申请日期 | 2003-09-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49104]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 國立中興大學 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 洪瑞華,武東星. 垂直共振腔面射型雷射二極體及其製造方法. TWI222775B. 2004-10-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。