垂直共振器型面発光半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 村上 朱実; 中山 秀生; 桑田 靖章; 鈴木 貞一; 石井 亮次 |
| 发表日期 | 2011-05-27 |
| 专利号 | JP4747516B2 |
| 著作权人 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 面発光型半導体レーザと保護素子を集積化することで静電破壊電圧を向上させ、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ装置1は、n型のGaAs基板200上にp型のGaAs層210を含むツェナーダイオード20と、ツェナーダイオード20上に積層されるVCSEL10とを有する。GaAs基板200の裏面には、n側電極層220が形成され、n側電極層220がVCSEL10のp側電極層115に電気的に接続される。また、p型のGaAs層210とVCSELのn型の下部DBRミラー層103とが電極層230によって電気的に接続される。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2011-08-17 |
| 申请日期 | 2004-06-08 |
| 状态 | 授权 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49124]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士ゼロックス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村上 朱実,中山 秀生,桑田 靖章,等. 垂直共振器型面発光半導体レーザ装置. JP4747516B2. 2011-05-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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