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窗口结构半导体激光装置及其制造方法

文献类型:专利

作者渡辺昌规
发表日期2009-04-15
专利号CN100479278C
著作权人夏普株式会社
国家中国
文献子类授权发明
其他题名窗口结构半导体激光装置及其制造方法
英文摘要本发明的AlGaInP类窗口结构半导体激光装置,其包括依次层叠下覆层、具有量子阱层的活性层、以及上覆层的光波导路径,并从形成于所述光波导路径的端部的相对于所述叠层垂直的光出射端面放射光。在所述光波导路径的包含所述光出射端面的端部形成具有所述量子阱层不规则化的活性层的窗口部。所述窗口部中的相对层叠方向的垂直方向的光强度分布,比在所述光波导路径内侧与所述窗口部相邻的非窗口部中的所述垂直方向的光强度分布扩展。从所述窗口部的所述光出射端面到所述非窗口部的长度大于或等于48μm而小于或等于80μm。
公开日期2009-04-15
申请日期2006-03-24
状态授权
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49166]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位夏普株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
渡辺昌规. 窗口结构半导体激光装置及其制造方法. CN100479278C. 2009-04-15.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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