半导体发光器件、光学拾取单元及信息记录/再现装置
文献类型：专利
| 作者 | 古嶋裕司; 阿部博明; 工藤久; 藤本强; 青嶋健太郎 |
| 发表日期 | 2010-12-08 |
| 专利号 | CN101188346B |
| 著作权人 | 索尼株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体发光器件、光学拾取单元及信息记录/再现装置 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件、具有该半导体发光器件的光学拾取单元及信息记录/再现装置。在半导体发光器件中，提供通过设计连接衬垫的布置而小型化的半导体发光器件。第二发光器件层叠在第一发光器件上。第二发光器件具有形成在第二衬底上朝向第一衬底一侧上的条状半导体层，条状p侧电极向半导体层提供电流，条状相对电极分别在相对各自的第一发光器件的p侧电极布置且与第一发光器件的p侧电极电连接，连接衬垫分别与各自的相对电极电连接，且连接衬垫与p侧电极电连接。连接衬垫平行相对电极布置。 |
| 公开日期 | 2010-12-08 |
| 申请日期 | 2007-11-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49172]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 索尼株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古嶋裕司,阿部博明,工藤久,等. 半导体发光器件、光学拾取单元及信息记录/再现装置. CN101188346B. 2010-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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