半導體發光元件之製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 加藤豪作; 野口裕泰; 長井政春 |
| 发表日期 | 2000-05-01 |
| 专利号 | TW389012B |
| 著作权人 | 蘇妮股份有限公司 |
| 国家 | 中国台湾 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導體發光元件之製造方法 |
| 英文摘要 | 本發明有關於發光為綠色乃至藍色之II－VI族化合物半導體發光元件之製造方法，可獲得長壽命，且可靠性高之半導體發光元件為目的，其解決手段乃: 本發明之半導體發光元件之製造方法乃主要係，以 II族而使用Zn，Be，Mg，Cd或Hg其中之至少 l種以上之元素，及VI族而使用Se，S，Te中之至少一種以上之元素之II－VI族化合物半導體所成，具有第l及第2導電型包覆層及活性層之半導體發光元件之製造方法中，其特徵為 將上述活性層之成膜時之VI族元素與II族元素之供給比VI/II選定於大於l.l而實施上述活性層之成膜者。 |
| 公开日期 | 2000-05-01 |
| 申请日期 | 1998-11-09 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49183]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 蘇妮股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 加藤豪作,野口裕泰,長井政春. 半導體發光元件之製造方法. TW389012B. 2000-05-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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