氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法
文献类型：专利
| 作者 | 上野昌纪; 盐谷阳平; 京野孝史; 秋田胜史; 善积祐介; 住友隆道; 中村孝夫 |
| 发表日期 | 2013-01-30 |
| 专利号 | CN101874309B |
| 著作权人 | 住友电气工业株式会社 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法 |
| 英文摘要 | 氮化物类半导体光元件(LE1)中，内含应变的阱层(21)沿着相对于与c轴方向上延伸的基准轴正交的面以倾斜角(α)倾斜的基准平面(SR1)延伸。倾斜角(α)在大于59度且小于80度的范围及大于150度且小于180度的范围。与具有负压电电场的发光层(SP-)相邻地具有带隙大于势垒层的带隙的氮化镓类半导体层(P)。阱层(W3)中的压电电场的方向为自n层向p层的方向，氮化镓类半导体层(P)中的压电电场的方向为自p层向n层的方向。因此，在发光层(SP-)与氮化镓类半导体层(P)的界面上，不是在导带而是在价带上形成有倾角。 |
| 公开日期 | 2013-01-30 |
| 申请日期 | 2009-01-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49184]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友电气工业株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上野昌纪,盐谷阳平,京野孝史,等. 氮化物类半导体光元件、用于氮化物类半导体光元件的外延晶片及制造半导体发光元件的方法. CN101874309B. 2013-01-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。